Samsung Electronics, azienda leader mondiale nell’ambito della tecnologia avanzata delle memorie, ha recentemente annunciato un importante progresso nel campo delle memorie DDR5 DRAM. La società ha sviluppato la prima e più ampia capacità DDR5 DRAM da 32 gigabit (Gb) del settore, sfruttando una tecnologia di processo di ultima generazione a 12 nanometri (nm). Questo successo giunge dopo il lancio in produzione in serie delle DRAM DDR5 da 16 Gb a 12 nm da parte di Samsung nel maggio 2023. Tale risultato rafforza ulteriormente la posizione di leadership di Samsung nel campo della tecnologia DRAM di prossima generazione e rappresenta un passo avanti significativo nell’evoluzione della memoria ad alta capacità.
SangJoon Hwang, Vicepresidente Esecutivo di DRAM Product & Technology presso Samsung Electronics, ha commentato: “La nostra nuova DRAM da 32 Gb a 12 nm rappresenta una soluzione che permetterà la creazione di moduli DRAM fino a 1 terabyte (TB), posizionandoci in modo ideale per rispondere alla crescente domanda di DRAM ad alta capacità nell’era dell’Intelligenza Artificiale e dei big data. Continueremo a sviluppare soluzioni DRAM tramite processi e tecnologie innovative per superare costantemente i limiti della tecnologia delle memorie.”
Da quando ha sviluppato la sua prima DRAM da 64 kilobit (Kb) nel 1983, Samsung è riuscita ad aumentare la capacità delle proprie DRAM di ben 500.000 volte nei successivi 40 anni.
Il più recente prodotto di memoria di Samsung, frutto di processi e tecnologie all’avanguardia per incrementare la densità di integrazione e ottimizzare il design, è caratterizzato dalla capacità singola più ampia nel settore per un singolo chip DRAM. Inoltre, esso offre il doppio della capacità delle DRAM DDR5 da 16 Gb, tutto ciò in uno stesso pacchetto dimensionale.
In passato, i moduli DRAM DDR5 da 128 GB che utilizzavano le DRAM da 16 Gb richiedevano il processo Through Silicon Via (TSV). Tuttavia, l’impiego delle nuove DRAM da 32 Gb di Samsung consente ora la produzione dei moduli da 128 GB senza ricorrere al processo TSV, riducendo al contempo il consumo energetico del 10% rispetto ai moduli da 128 GB basati sulle DRAM da 16 Gb. Questa innovazione tecnologica rende il prodotto una scelta ottimale per le aziende focalizzate sull’efficienza energetica, come i data center.
Basandosi sulla base della sua DRAM DDR5 da 32 Gb a 12 nm, Samsung ha progetti di espandere ulteriormente la sua gamma di DRAM ad alta capacità per soddisfare le attuali e future esigenze del settore informatico e IT. La società intende confermare la propria leadership nel mercato delle DRAM di prossima generazione, fornendo le DRAM da 32 Gb a 12 nm ai data center e ai clienti che richiedono applicazioni quali l’Intelligenza Artificiale e l’elaborazione di prossima generazione. Questo nuovo prodotto sarà anche un elemento cruciale nella collaborazione continua di Samsung con altri attori chiave del settore.