Applied Materials ha annunciato due nuove piattaforme per la produzione di semiconduttori progettate per affrontare alcune delle principali sfide introdotte dall’evoluzione delle architetture tridimensionali utilizzate nei chip di ultima generazione. I nuovi sistemi sono stati sviluppati per supportare sia la produzione di transistor Gate-All-Around (GAA) destinati ai nodi logici più avanzati sia le memorie 3D NAND caratterizzate da un numero crescente di strati verticali.
La prima piattaforma, denominata Centris Spectral SiN ALD, utilizza tecniche di Atomic Layer Deposition assistite da plasma a microonde per depositare strati di nitruro di silicio all’interno di strutture tridimensionali estremamente profonde e strette. Con il passaggio ai transistor GAA e alle memorie NAND con centinaia di layer, la distribuzione uniforme dei materiali lungo tutta la profondità delle strutture verticali è diventata uno degli aspetti più complessi della produzione. Variazioni minime nello spessore dei film possono infatti compromettere prestazioni, consumi energetici e resa produttiva. Il nuovo sistema è stato progettato per garantire una deposizione omogenea anche in cavità ad elevato aspect ratio, consentendo un controllo più accurato delle caratteristiche elettriche dei dispositivi.
La seconda piattaforma introdotta da Applied Materials è il sistema Producer Selectra Mo Etch, sviluppato per la lavorazione selettiva del molibdeno impiegato nelle strutture di memoria NAND di nuova generazione. Con l’aumento del numero di layer impilati verticalmente, i processi di incisione devono essere in grado di rimuovere materiale con precisione atomica senza danneggiare gli strati circostanti. Il sistema è stato progettato per separare e definire le wordline nelle memorie 3D NAND ad alta densità, un passaggio essenziale per mantenere integrità elettrica e affidabilità nei dispositivi di archiviazione più avanzati.
Le nuove piattaforme si inseriscono nella strategia di Applied Materials orientata verso la cosiddetta era “angstrom”, nella quale il miglioramento delle prestazioni non dipende più esclusivamente dalla riduzione delle dimensioni dei transistor, ma sempre più dalla capacità di controllare materiali, superfici e interfacce a livello atomico. In questo scenario, le tecnologie di deposizione e incisione assumono un ruolo centrale perché consentono di realizzare geometrie tridimensionali sempre più complesse mantenendo uniformità, affidabilità e rendimento produttivo.
Secondo l’azienda, entrambi i sistemi sono già utilizzati da produttori leader nel settore delle fonderie logiche e delle memorie avanzate. L’obiettivo è supportare la crescente domanda di infrastrutture dedicate all’intelligenza artificiale, che richiedono processori e memorie caratterizzati da densità sempre maggiori, consumi energetici più contenuti e prestazioni elevate ottenute attraverso architetture tridimensionali sempre più sofisticate.