SoftBank e Intel hanno annunciato una collaborazione per sviluppare una nuova tecnologia di memoria destinata a sostituire la memoria ad alta larghezza di banda (HBM) utilizzata nei data center per l’intelligenza artificiale (AI). Questa iniziativa mira a ridurre significativamente il consumo energetico, affrontando una delle sfide principali nell’implementazione dell’AI su larga scala.
Le due aziende hanno costituito una joint venture chiamata Saimemory, con l’obiettivo di sviluppare una memoria DRAM impilata in 3D che consumi la metà dell’energia rispetto all’HBM attuale. La tecnologia proposta prevede l’impilamento verticale dei chip DRAM e un cablaggio interno ottimizzato per migliorare l’efficienza energetica. Il prototipo dovrebbe essere pronto entro il 2027, con la commercializzazione prevista prima del 2030.
SoftBank, che guida l’investimento con 3 miliardi di yen, ha dichiarato l’intenzione di utilizzare questa nuova memoria nei propri data center per l’addestramento dell’AI. Inoltre, l’azienda prevede di garantire una fornitura prioritaria di questi chip per le proprie infrastrutture. Il progetto è sostenuto anche da istituzioni accademiche giapponesi, come l’Università di Tokyo, e da partner industriali come Shinko Electric Industries.
Attualmente, il mercato dell’HBM è dominato da aziende sudcoreane come SK hynix e Samsung, con una produzione limitata e costi elevati. La nuova tecnologia sviluppata da Saimemory potrebbe offrire un’alternativa più economica ed efficiente, contribuendo a ridurre la dipendenza da fornitori esteri e a stimolare la crescita dell’industria dei semiconduttori in Giappone.