Micron Technology ha annunciato il lancio in serie della sua soluzione HBM3E (High Bandwidth Memory 3E), rappresentata dal modulo da 24 GB 8H. Questa memoria sarà integrata nelle GPU NVIDIA H200 Tensor Core, con spedizioni previste per il secondo trimestre del 2024.
In un contesto in cui la richiesta di intelligenza artificiale continua a crescere, la necessità di soluzioni di memoria in grado di supportare carichi di lavoro sempre più complessi diventa cruciale. La soluzione HBM3E di Micron affronta questa sfida fornendo:
- Prestazioni superiori: con una velocità pin di oltre 9,2 gigabit al secondo (Gb/s), l’HBM3E di Micron offre oltre 1,2 terabyte al secondo (TB/s) di larghezza di banda di memoria. Ciò consente un accesso estremamente rapido ai dati per acceleratori di intelligenza artificiale, supercomputer e centri dati.
- Efficienza eccezionale: l’HBM3E di Micron si distingue per un consumo energetico inferiore del 30% rispetto alle alternative presenti sul mercato. Questo permette di massimizzare il throughput con i minori consumi energetici, contribuendo a migliorare i principali parametri di spesa operativa dei data center.
- Scalabilità senza interruzioni: con una capacità di 24 GB, l’HBM3E di Micron consente ai data center di scalare facilmente le proprie applicazioni di intelligenza artificiale. Che si tratti di addestrare reti neurali complesse o di accelerare le operazioni di inferenza, la soluzione di Micron fornisce la larghezza di banda di memoria necessaria.
“Con l’introduzione di HBM3E, Micron sta raggiungendo tre obiettivi fondamentali: tempi di lancio sul mercato leader, prestazioni di punta e un profilo differenziato di efficienza energetica,” ha dichiarato Sumit Sadana, vicepresidente esecutivo e chief business officer di Micron Technology. “I carichi di lavoro legati all’intelligenza artificiale dipendono fortemente dalla larghezza di banda e dalla capacità della memoria, e Micron è ben posizionata per supportare la crescente domanda futura attraverso la nostra roadmap HBM3E e HBM4 leader del settore, insieme al nostro portafoglio completo di soluzioni DRAM e NAND per applicazioni di intelligenza artificiale.”
Micron ha sviluppato questa soluzione HBM3E utilizzando la sua tecnologia avanzata 1-beta, attraverso l’implementazione di through-silicon via (TSV) e altre innovazioni che permettono un packaging differenziato. In qualità di leader nel campo delle memorie in tecnologia 2.5D/3D e del packaging avanzato, Micron è orgogliosa di far parte della 3DFabric Alliance di TSMC, contribuendo a definire il futuro delle innovazioni nel settore dei semiconduttori e dei sistemi.
Inoltre, Micron sta ampliando la propria leadership con il campionamento del modello 12-High HBM3E da 36 GB, previsto per marzo 2024. Questo modello promette prestazioni superiori a 1,2 TB/s e una maggiore efficienza energetica rispetto alle alternative presenti sul mercato.