Hwang Sang-jun, vicepresidente della divisione Memory Business di Samsung Electronics, ha annunciato piani ambiziosi per l’espansione dell’uso dell’intelligenza artificiale (AI) attraverso semiconduttori e memorie ad alte prestazioni. Una delle prossime novità in arrivo è il lancio di “HBM4”, una memoria ad altissima larghezza di banda prevista per il 2025.

Il vicepresidente Hwang ha condiviso queste importanti informazioni tramite un contributo sul sito web Samsung Electronics Semiconductor Newsroom il 10. Ha dichiarato: “L’HBM ad alte prestazioni rappresenta un elemento fondamentale nell’era dell’intelligenza artificiale”, aggiungendo: “Stiamo lavorando al progetto HBM4 con l’obiettivo di renderlo disponibile entro il 2025”.

Samsung è stata pioniera nel mercato dell’HBM (High Bandwidth Memory) per il calcolo ad alte prestazioni (HPC) nel 2016, quando ha introdotto l’HBM per la prima volta al mondo. Nel 2017, l’azienda ha presentato l’HBM2 stacked a 8 strati, che ha raggiunto una velocità otto volte superiore rispetto alla GDDR5, all’epoca la memoria più veloce. Questa mossa ha dimostrato il potenziale della tecnologia di impilamento 3D.

Da allora, Samsung ha continuato a sviluppare e produrre in serie memorie HBM2E e HBM3, oltre a presentare il prodotto HBM3E con una velocità di 9,8 Gbps (gigabit al secondo) e fornendo campioni ai clienti. Oltre all’HBM4, entro il 2025 vedremo anche l’introduzione delle tecnologie di assemblaggio NCF (pellicola adesiva non conduttiva) e HCB (legame ibrido), ottimizzate per le elevate temperature.

L’HBM rappresenta un elemento chiave nel miglioramento delle prestazioni dell’intelligenza artificiale, poiché consente un notevole aumento della velocità di elaborazione dei dati rispetto alla DRAM tradizionale. In questo contesto, SK Hynix ha annunciato il successo nello sviluppo di “HBM3E”, il prodotto con le specifiche più elevate al mondo, nell’agosto dell’anno scorso, fornendo campioni ai clienti per il processo di verifica delle prestazioni.

Samsung ha ora annunciato l’intenzione di superare tutte le aspettative con il lancio di HBM4.

Per potenziare ulteriormente la tecnologia dei pacchetti e sfruttare al massimo le sinergie tra le divisioni aziendali, Samsung ha creato il team aziendale AVP (Advanced Package) all’inizio di quest’anno. Questo team fornirà servizi di imballaggio personalizzati chiavi in ​​mano, inclusi HBM e soluzioni di imballaggio avanzate in 2,5 e 3 dimensioni, per offrire la soluzione ottimale nell’era dell’intelligenza artificiale e dell’HPC.

Il vicepresidente Hwang ha sottolineato che la disponibilità di memoria di alta qualità è fondamentale anche per i servizi di intelligenza artificiale. Ha citato l’esempio della DRAM DDR5 da 32 Gb (gigabit), annunciata il mese scorso, che ha una capacità 500.000 volte superiore rispetto alla DRAM da 64 Kb (kilobit) sviluppata 40 anni fa. Questa tecnologia ha reso possibile la produzione di moduli da 128 GB (gigabyte) senza il processo TSV (attraverso elettrodo di silicio), riducendo il consumo energetico fino al 10%.

La nuova DRAM consentirà moduli fino a 1 TB (terabyte), utili non solo nei data center ad alta capacità, ma anche nelle soluzioni di memoria di prossima generazione come MRDIMM e CXL. Inoltre, la produttività della DRAM da 12 nanometri nello standard DDR5 è migliorata di circa il 20% rispetto al prodotto della generazione precedente e supporta una velocità operativa massima di 7,2 Gbps, sufficiente per elaborare due film UHD da 30 GB al secondo.

Samsung sta anche conducendo ricerche per sviluppare un’architettura PIM (Processing In Memory) basata sull’interfaccia CXL (Compute Express Link) utilizzando la sua tecnologia HBM-PIM (High Bandwidth Memory – Processing In Memory).

Recentemente, l’azienda ha sviluppato il modulo LPCAMM (Low Power Compression Attached Memory Module), che offre vantaggi come miniaturizzazione, basso consumo energetico e staccabilità, migliorando le prestazioni fino al 50% e l’efficienza energetica fino al 70%. Questa innovazione potrebbe essere utilizzata in una varietà di applicazioni, dai data center ai dispositivi mobili come PC e laptop.

Il vicepresidente Hwang ha concluso affermando: “Samsung Electronics ha costantemente superato i limiti tecnologici negli ultimi 40 anni attraverso il cambiamento e l’innovazione. Continueremo a farlo, sviluppando prodotti di memoria per soluzioni che non hanno eguali al mondo. Ci stiamo muovendo verso il futuro con fiducia e

Di Fantasy